APTM10HM19FT3G

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

Microsemi Corporation

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

70A

FET型 :

4 N-Channel (H-Bridge)

FET特性 :

Standard

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

21 mOhm @ 35A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 1mA

供应商设备包 :

SP3

包装/箱 :

SP3

包装材料 :

Bulk

安装类型 :

Chassis Mount

工作温度 :

-40°C ~ 150°C (TJ)

最大功率 :

208W

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

200nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

100V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

5100pF @ 25V

零件状态 :

Active