APT68GA60B2D40

产品分类 :

晶体管 - IGBT - 单

制造商 :

Microsemi Corporation

25°C时的Td（开/关） :

21ns/133ns

IGBT型 :

PT

Vge，Ic时的Vce（开）（最大值） :

2.5V @ 15V, 40A

供应商设备包 :

-

包装/箱 :

TO-247-3 Variant

包装材料 :

Tube

反向恢复时间（trr） :

-

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

开关能量 :

715µJ (on), 607µJ (off)

最大功率 :

520W

电压-集电极-发射极击穿（最大） :

600V

电流收集器脉冲（Icm） :

202A

系列 :

POWER MOS 8™

试验条件 :

400V, 40A, 4.7 Ohm, 15V

输入类型 :

Standard

门电荷 :

198nC

集电器（Ic）（最大值） :

121A

零件状态 :

Active