TN5325N3-G-P002

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Microchip Technology

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

215mA (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

7 Ohm @ 1A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2V @ 1mA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

TO-92-3

功耗（最大） :

740mW (Ta)

包装/箱 :

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

-

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

-

漏极-源极电压（Vdss） :

250V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

110pF @ 25V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V