IXFN50N120SK

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

IXYS

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

48A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

52 mOhm @ 40A, 20V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.8V @ 10mA

Vgs（最大值） :

+20V, -5V

供应商设备包 :

SOT-227B

功耗（最大） :

-

包装/箱 :

SOT-227-4, miniBLOC

包装材料 :

-

安装类型 :

Chassis Mount

工作温度 :

-40°C ~ 175°C (TJ)

技术 :

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

115nC @ 20V

漏极-源极电压（Vdss） :

1200V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1895pF @ 1000V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

20V