IRFB59N10DPBF

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

59A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

25 mOhm @ 35.4A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

5.5V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±30V

供应商设备包 :

TO-220AB

功耗（最大） :

3.8W (Ta), 200W (Tc)

包装/箱 :

TO-220-3

包装材料 :

Tube

安装类型 :

Through Hole

工作温度 :

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

114nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

100V

系列 :

HEXFET®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

2450pF @ 25V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V