IRF6798MTRPBF

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

37A (Ta), 197A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

Schottky Diode (Body)

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

1.3 mOhm @ 37A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.35V @ 150µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

DIRECTFET™ MX

功耗（最大） :

2.8W (Ta), 78W (Tc)

包装/箱 :

DirectFET™ Isometric MX

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-40°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

75nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

25V

系列 :

HEXFET®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

6560pF @ 13V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V