IRF6614TRPBF

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

12.7A (Ta), 55A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

8.3 mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.25V @ 250µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

DIRECTFET™ ST

功耗（最大） :

2.1W (Ta), 42W (Tc)

包装/箱 :

DirectFET™ Isometric ST

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-40°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

29nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

40V

系列 :

HEXFET®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

2560pF @ 20V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

4.5V, 10V