IRF1902GPBF

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

4.2A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

85 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@Id :

700mV @ 250µA

Vgs（最大值） :

-

供应商设备包 :

8-SO

功耗（最大） :

-

包装/箱 :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

包装材料 :

Tube

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

7.5nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

20V

系列 :

HEXFET®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

310pF @ 15V

零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

-