IPB80N06S209ATMA2

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

80A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

8.8 mOhm @ 50A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 125µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

PG-TO263-3-2

功耗（最大） :

190W (Tc)

包装/箱 :

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

80nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

55V

系列 :

OptiMOS™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

2360pF @ 25V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V