BSP129H6327XTSA1

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

350mA (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

Depletion Mode

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

6 Ohm @ 350mA, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

1V @ 108µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

PG-SOT223-4

功耗（最大） :

1.8W (Ta)

包装/箱 :

TO-261-4, TO-261AA

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

5.7nC @ 5V

漏极-源极电压（Vdss） :

240V

系列 :

SIPMOS®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

108pF @ 25V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

0V, 10V