BSB280N15NZ3GXUMA1

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

Infineon Technologies

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

9A (Ta), 30A (Tc)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

28 mOhm @ 30A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

4V @ 60µA

Vgs（最大值） :

±20V

供应商设备包 :

MG-WDSON-2, CanPAK M™

功耗（最大） :

2.8W (Ta), 57W (Tc)

包装/箱 :

3-WDSON

包装材料 :

Digi-Reel®

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-40°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

MOSFET (Metal Oxide)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

21nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

150V

系列 :

OptiMOS™

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

1600pF @ 75V

零件状态 :

Discontinued at Digi-Key

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

10V