GA50JT12-263

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

GeneSiC Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

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FET型 :

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FET特性 :

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Rds开启（最大）@Id，Vgs :

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Vgs（th）（最大）@Id :

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Vgs（最大值） :

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供应商设备包 :

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功耗（最大） :

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包装/箱 :

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包装材料 :

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安装类型 :

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工作温度 :

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技术 :

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栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

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漏极-源极电压（Vdss） :

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系列 :

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

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零件状态 :

Obsolete

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

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