GA20JT12-263

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

GeneSiC Semiconductor

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

45A (Tc)

FET型 :

-

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

60 mOhm @ 20A

Vgs（th）（最大）@Id :

-

Vgs（最大值） :

-

供应商设备包 :

D2PAK (7-Lead)

功耗（最大） :

282W (Tc)

包装/箱 :

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

包装材料 :

Tube

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

175°C (TJ)

技术 :

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

-

漏极-源极电压（Vdss） :

1200V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

3091pF @ 800V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

-