EPC2019

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 单电池

制造商 :

EPC

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

8.5A (Ta)

FET型 :

N-Channel

FET特性 :

-

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

50 mOhm @ 7A, 5V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.5V @ 1.5mA

Vgs（最大值） :

+6V, -4V

供应商设备包 :

Die

功耗（最大） :

-

包装/箱 :

Die

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-40°C ~ 150°C (TJ)

技术 :

GaNFET (Gallium Nitride)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

2.5nC @ 5V

漏极-源极电压（Vdss） :

200V

系列 :

eGaN®

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

270pF @ 100V

零件状态 :

Active

驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :

5V