DMN65D8LDW-7

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

Diodes Incorporated

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

180mA

FET型 :

2 N-Channel (Dual)

FET特性 :

Logic Level Gate

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

6 Ohm @ 115mA, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2V @ 250µA

供应商设备包 :

SOT-363

包装/箱 :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

最大功率 :

300mW

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

0.87nC @ 10V

漏极-源极电压（Vdss） :

60V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

22pF @ 25V

零件状态 :

Active