DMN61D9UDW-13

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

Diodes Incorporated

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

350mA

FET型 :

2 N-Channel (Dual)

FET特性 :

Standard

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

2 Ohm @ 50mA, 5V

Vgs（th）（最大）@Id :

1V @ 250µA

供应商设备包 :

SOT-363

包装/箱 :

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

包装材料 :

Tape & Reel (TR)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

最大功率 :

320mW

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

0.4nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

60V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

28.5pF @ 30V

零件状态 :

Active