AOSD62666E

产品分类 :

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

制造商 :

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

25°C时的电流-连续漏极（Id） :

9.5A (Ta)

FET型 :

2 N-Channel (Dual)

FET特性 :

Logic Level Gate

Rds开启（最大）@Id，Vgs :

14.5 mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs（th）（最大）@Id :

2.2V @ 250µA

供应商设备包 :

8-SOIC

包装/箱 :

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

包装材料 :

Cut Tape (CT)

安装类型 :

Surface Mount

工作温度 :

-55°C ~ 150°C (TJ)

最大功率 :

2.5W (Ta)

栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :

10nC @ 4.5V

漏极-源极电压（Vdss） :

60V

系列 :

-

输入电容（Ciss）（最大）@Vds :

755pF @ 30V

零件状态 :

Active