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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF6725MTR1PBF
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RFQ
3,079
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 28A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.8W (Ta), 100W (Tc) N-Channel - 30V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.2 mOhm @ 28A, 10V 2.35V @ 100µA 54nC @ 4.5V 4700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF8304MTR1PBF
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RFQ
2,268
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 28A MX HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.8W (Ta), 100W (Tc) N-Channel - 30V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.2 mOhm @ 28A, 10V 2.35V @ 100µA 42nC @ 4.5V 4700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
FDS6673BZ
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RFQ
603
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) P-Channel - 30V 14.5A (Ta) 7.8 mOhm @ 14.5A, 10V 3V @ 250µA 124nC @ 10V 4700pF @ 15V 4.5V, 10V ±25V
BSC011N03LSATMA1
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RFQ
1,681
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 96W (Tc) N-Channel - 30V 37A (Ta), 100A (Tc) 1.1 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 72nC @ 10V 4700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF8304MTRPBF
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RFQ
2,592
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 28A MX HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.8W (Ta), 100W (Tc) N-Channel - 30V 28A (Ta), 170A (Tc) 2.2 mOhm @ 28A, 10V 2.35V @ 100µA 42nC @ 4.5V 4700pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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