- 系列 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
761
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | P-Channel | 100V | 13.2A (Tc) | 134 mOhm @ 4A, 10V | 3V @ 250µA | 55nC @ 10V | 1480pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,503
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 9W (Tc) | N-Channel | 100V | 6.5A (Tc) | 95 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 10V | 1480pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,013
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -50°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 3.7W (Ta), 52W (Tc) | P-Channel | 100V | 13.2A (Tc) | 134 mOhm @ 4A, 10V | 3V @ 250µA | 55nC @ 10V | 1480pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
.jpg)
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获得报价 |
3,090
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252, (D-Pak) | 50W (Tc) | N-Channel | 100V | 15A (Tc) | 90 mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 9.3nC @ 10V | 1480pF @ 50V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1