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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOL1418
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RFQ
907
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 85A 8ULTRASO - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 3-PowerSMD, Flat Leads UltraSO-8™ 2.08W (Ta), 100W (Tc) N-Channel - 30V 15A (Ta), 85A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 2.6V @ 250µA 32nC @ 4.5V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
AO4720
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RFQ
2,117
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC SRFET™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC 3.1W (Ta) N-Channel Schottky Diode (Body) 30V 13A (Ta) 11 mOhm @ 13A, 10V 2V @ 250µA 30nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SIE800DF-T1-E3
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974
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 10-PolarPAK® (S) 10-PolarPAK® (S) 5.2W (Ta), 104W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 7.2 mOhm @ 11A, 10V 3V @ 250µA 35nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IPB096N03LGATMA1
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1,545
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D²PAK (TO-263AB) 42W (Tc) N-Channel - 30V 35A (Tc) 9.6 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI7784DP-T1-GE3
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763
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5W (Ta), 27.7W (Tc) N-Channel - 30V 35A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI7718DN-T1-GE3
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2,444
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8 3.7W (Ta), 52W (Tc) N-Channel - 30V 35A (Tc) 6 mOhm @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 45nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC079N03LSCGATMA1
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RFQ
3,541
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 14A 8TDSON OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 30W (Tc) N-Channel - 30V 14A (Ta), 50A (Tc) 7.9 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 19nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IPD090N03LGATMA1
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RFQ
1,209
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3 42W (Tc) N-Channel - 30V 40A (Tc) 9 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 15nC @ 10V 1600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF7401TRPBF
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3,811
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 8.7A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 20V 8.7A (Ta) 22 mOhm @ 4.1A, 4.5V 700mV @ 250µA 48nC @ 4.5V 1600pF @ 15V 2.7V, 4.5V ±12V
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