- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
5 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,579
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | SC-89-6 | 236mW (Ta) | N-Channel | - | 20V | - | 91 mOhm @ 1.3A, 4.5V | 1.55V @ 250µA | 5.9nC @ 5V | 380pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
888
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | DFN2020-6 | 520mW (Ta), 8.3W (Tc) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 3.5A (Ta) | 70 mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 6nC @ 4.5V | 380pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
907
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UDFN Exposed Pad | DFN2020-6 | 520mW (Ta), 8.3W (Tc) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 3.5A (Ta) | 70 mOhm @ 1A, 4.5V | 1V @ 250µA | 6nC @ 4.5V | 380pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,677
有现货
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Rohm Semiconductor | NCH 60V 8A POWER MOSFET | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 15W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 8A (Ta) | 80 mOhm @ 8A, 10V | 2.5V @ 1mA | 9.4nC @ 10V | 380pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,665
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-96 | TSMT3 | 540mW (Ta) | N-Channel | - | 60V | 3A (Ta) | 85 mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 1mA | - | 380pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V |