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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF6722STR1PBF
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RFQ
1,256
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric ST DIRECTFET™ ST 2.2W (Ta), 42W (Tc) N-Channel 30V 13A (Ta), 58A (Tc) 7.3 mOhm @ 13A, 10V 2.4V @ 50µA 17nC @ 4.5V 1320pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SI8497DB-T2-E1
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RFQ
1,990
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA 6-microfoot 2.77W (Ta), 13W (Tc) P-Channel 30V 13A (Tc) 53 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.1V @ 250µA 49nC @ 10V 1320pF @ 15V 2V, 4.5V ±12V
DMT3006LFDF-7
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RFQ
3,886
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Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020- Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad U-DFN2020-6 (Type F) 800mW (Ta) N-Channel 30V 14.1A (Ta) 7 mOhm @ 9A, 10V 3V @ 250µA 22.6nC @ 10V 1320pF @ 15V 3.7V, 10V ±20V
DMT3006LFG-7
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RFQ
3,827
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Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN PowerDI3333-8 27.8W (Tc) N-Channel 30V 16A (Ta), 55.6A (Tc) 6 mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 22.6nC @ 10V 1320pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMT3006LPS-13
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RFQ
2,086
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Diodes Incorporated MOSFET N-CHA 30V 16A POWERDI Automotive, AEC-Q101 Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 1.3W (Ta), 42W (Tc) N-Channel 30V 16A (Ta), 65A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 22.6nC @ 10V 1320pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMT3006LDK-7
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RFQ
2,588
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN V-DFN3030-8 1.1W (Ta) N-Channel 30V 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) 6.5 mOhm @ 12A, 10V 3V @ 250µA 22.6nC @ 10V 1320pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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