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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
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RFQ
2,560
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV U-MOSVIII Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-TSON Advance (3.3x3.3) 700mW (Ta), 35W (Tc) N-Channel 30V 40A (Ta) 2.5 mOhm @ 20A, 10V 2.3V @ 500µA 40nC @ 10V 2230pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMP3008SFG-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 8.6A POWERDI - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 900mW (Ta) P-Channel 30V 8.6A (Ta) 17 mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 47nC @ 10V 2230pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
TPN2R203NC,L1Q
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RFQ
1,376
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON U-MOSVIII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-TSON Advance (3.3x3.3) 700mW (Ta), 42W (Tc) N-Channel 30V 45A (Tc) 2.2 mOhm @ 22.5A, 10V 2.3V @ 500µA 34nC @ 10V 2230pF @ 15V 10V ±20V
SI7143DP-T1-GE3
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1,527
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) P-Channel 30V 35A (Tc) 10 mOhm @ 16.1A, 10V 2.8V @ 250µA 71nC @ 10V 2230pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMP3008SFGQ-7
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 900mW (Ta) P-Channel 30V 8.6A (Ta) 17 mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 47nC @ 10V 2230pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
DMP3008SFGQ-13
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2,659
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Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN PowerDI3333-8 900mW (Ta) P-Channel 30V 8.6A (Ta) 17 mOhm @ 10A, 10V 2.1V @ 250µA 47nC @ 10V 2230pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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