- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
3,439
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | TO-263-7 | 150W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 150A (Tc) | 1.63 mOhm @ 35A, 10V | 3.5V @ 250µA | 160nC @ 10V | 9200pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
1,038
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 40V | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D²Pak) | 150W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 150A (Tc) | 1.63 mOhm @ 35A, 10V | 3.5V @ 250µA | 160nC @ 10V | 9200pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,548
有现货
|
Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263 (D2Pak) | 3.75W (Ta), 272W (Tc) | P-Channel | - | 60V | 110A (Tc) | 8 mOhm @ 30A, 10V | 3V @ 250µA | 240nC @ 10V | 9200pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
3,751
有现货
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 380W (Tc) | N-Channel | - | 40V | 195A (Ta) | 1.75 mOhm @ 195A, 10V | 4V @ 250µA | 240nC @ 10V | 9200pF @ 25V | 10V | ±20V |