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漏极-源极电压(Vdss) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7700TRPBF
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RFQ
730
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP 1.5W (Tc) P-Channel - 20V 8.6A (Tc) 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V 1.2V @ 250µA 89nC @ 5V 4300pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
IRF7700GTRPBF
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RFQ
3,870
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP 1.5W (Ta) P-Channel - 20V 8.6A (Ta) 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V 1.2V @ 250µA 89nC @ 5V 4300pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
BSC882N03MSGATMA1
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1,062
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 34V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.6 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 55nC @ 10V 4300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
AOB210L
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 20A TO263 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 1.9W (Ta), 176W (Tc) N-Channel - 30V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.6 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 58nC @ 10V 4300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC042N03MSGATMA1
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RFQ
957
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 57W (Tc) N-Channel - 30V 17A (Ta), 93A (Tc) 4.2 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 55nC @ 10V 4300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSO051N03MS G
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RFQ
1,936
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) PG-DSO-8 1.56W (Ta) N-Channel - 30V 14A (Ta) 5.1 mOhm @ 18A, 10V 2V @ 250µA 55nC @ 10V 4300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC011N03LSIATMA1
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RFQ
3,102
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 96W (Tc) N-Channel - 30V 37A (Ta), 100A (Tc) 1.1 mOhm @ 30A, 10V 2V @ 250µA 68nC @ 10V 4300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BSC030N03LSGATMA1
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RFQ
805
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 23A (Ta), 100A (Tc) 3 mOhm @ 30A, 10V 2.2V @ 250µA 55nC @ 10V 4300pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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