- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,167
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PG-TO252-3 | 208.3W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 16.1A (Tc) | 250 mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 400µA | 44nC @ 10V | 950pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
828
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | CoolMOS™ | Not For New Designs | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 104W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 13.8A (Tc) | 280 mOhm @ 6.5A, 10V | 3.5V @ 430µA | 43nC @ 10V | 950pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,705
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 13.8A TO263 | CoolMOS™ | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 104W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 13.8A (Tc) | 280 mOhm @ 4.4A, 10V | 3.5V @ 440µA | 45nC @ 10V | 950pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,444
有现货
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EPC | TRANS GAN 200V 48A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 140°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die | - | N-Channel | - | 200V | 48A (Ta) | 10 mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 7mA | 8.8nC @ 5V | 950pF @ 100V | 5V | +6V, -4V |