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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
	PSMN014-60LS,115		获得报价	PDF RFQ	3,136 有现货	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 60V QFN3333	-	Obsolete	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	8-VDFN Exposed Pad	8-DFN3333 (3.3x3.3)	65W (Tc)	N-Channel	-	60V	40A (Tc)	14 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 1mA	19.6nC @ 10V	1264pF @ 30V	10V	±20V
	SIHA2N80E-GE3		获得报价	PDF RFQ	2,990 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA	E	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-220-3 Full Pack	TO-220 Full Pack	29W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V
	TSM80N950CP ROG		获得报价	PDF RFQ	3,331 有现货	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252	-	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	TO-252, (D-Pak)	110W (Tc)	N-Channel	-	800V	6A (Tc)	950 mOhm @ 3A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	691pF @ 100V	10V	±30V
	SI3424BDV-T1-GE3		获得报价	PDF RFQ	1,735 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP	TrenchFET®	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	6-TSOP	2.1W (Ta), 2.98W (Tc)	N-Channel	-	30V	8A (Tc)	28 mOhm @ 7A, 10V	3V @ 250µA	19.6nC @ 10V	735pF @ 15V	4.5V, 10V	±20V
	SIHD2N80E-GE3		获得报价	PDF RFQ	2,971 有现货	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK	E	Active	Digi-Reel®	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Surface Mount	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	D-PAK (TO-252AA)	62.5W (Tc)	N-Channel	-	800V	2.8A (Tc)	2.75 Ohm @ 1A, 10V	4V @ 250µA	19.6nC @ 10V	315pF @ 100V	10V	±30V

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