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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
FDMT800150DC
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RFQ
3,109
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 150V 15A Dual Cool™, PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-Dual Cool™88 3.2W (Ta), 156W (Tc) N-Channel - 150V 15A (Ta), 99A (Tc) 6.5 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 108nC @ 10V 8205pF @ 75V 6V, 10V ±20V
SQJ459EP-T1_GE3
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RFQ
2,079
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 83W (Tc) P-Channel - 60V 52A (Tc) 18 mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 250µA 108nC @ 10V 4586pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
BUK768R1-100E,118
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RFQ
2,060
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 263W (Tc) N-Channel - 100V 100A (Tc) 8.1 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 108nC @ 10V 7380pF @ 25V 10V ±20V
BSC017N04NSGATMA1
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RFQ
3,338
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 139W (Tc) N-Channel - 40V 30A (Ta), 100A (Tc) 1.7 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 85µA 108nC @ 10V 8800pF @ 20V 10V ±20V
BSC019N04NSGATMA1
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RFQ
1,723
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 125W (Tc) N-Channel - 40V 30A (Ta), 100A (Tc) 1.9 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 85µA 108nC @ 10V 8800pF @ 20V 10V ±20V
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