- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,967
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK | TrenchMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 150W (Tc) | N-Channel | - | 25V | 75A (Tc) | 4 mOhm @ 25A, 10V | 2V @ 1mA | 36nC @ 5V | 3140pF @ 25V | 5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,430
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK | - | Last Time Buy | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -65°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D²PAK (TO-263AB) | 75W (Tc) | P-Channel | - | 30V | 30A (Tc) | 25 mOhm @ 19A, 10V | 2V @ 250µA | 36nC @ 5V | 1570pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±16V | ||
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获得报价 |
2,262
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | 80W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 51A (Tc) | 13.5 mOhm @ 31A, 10V | 3V @ 250µA | 36nC @ 5V | 1620pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±16V |