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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTMFS5C450NT1G
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RFQ
2,441
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ON Semiconductor T6 40V MOSFET - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN, 5 Leads 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 3.6W (Ta), 68W (Tc) N-Channel - 40V 24A (Ta), 102A (Tc) 3.3 mOhm @ 50A, 10V 3.5V @ 65µA 5.1nC @ 10V 1600pF @ 25V 10V ±20V
AOD3N40
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RFQ
1,137
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N CH 400V 2.6A TO252 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252, (D-Pak) 50W (Tc) N-Channel - 400V 2.6A (Tc) 3.1 Ohm @ 1A, 10V 4.5V @ 250µA 5.1nC @ 10V 225pF @ 25V 10V ±30V
CSD17585F5
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RFQ
2,308
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Texas Instruments 30V N CH MOSFET FemtoFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN 3-PICOSTAR 500mW (Ta) N-Channel - 30V 5.9A (Ta) 27 mOhm @ 900mA, 10V 1.7V @ 250µA 5.1nC @ 10V 380pF @ 15V 4.5V, 10V 20V
NVR5198NLT1G
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RFQ
1,331
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 2.2A SOT23 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 900mW (Ta) N-Channel - 60V 1.7A (Ta) 155 mOhm @ 1A, 10V 2.5V @ 250µA 5.1nC @ 10V 182pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
CSD17585F5T
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RFQ
702
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR FemtoFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-XFDFN 3-PICOSTAR 500mW (Ta) N-Channel - 30V 5.9A (Ta) 27 mOhm @ 900mA, 10V 1.7V @ 250µA 5.1nC @ 10V 380pF @ 15V 4.5V, 10V 20V
IRLML5103TRPBF
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RFQ
3,579
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Micro3™/SOT-23 540mW (Ta) P-Channel - 30V 760mA (Ta) 600 mOhm @ 600mA, 10V 1V @ 250µA 5.1nC @ 10V 75pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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