- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,167
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 18A POWERPAK1212 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 | 52W (Tc) | P-Channel | 20V | 18A (Tc) | 7.1 mOhm @ 20A, 10V | 1.2V @ 250µA | 181nC @ 10V | 5590pF @ 10V | 2.5V, 10V | ±12V | ||
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获得报价 |
3,265
有现货
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2 | DeepGATE™, STripFET™ VI | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | H2Pak-2 | 150W (Tc) | N-Channel | 40V | 120A (Tc) | 2.2 mOhm @ 60A, 10V | 1V @ 250µA (Min) | 181nC @ 10V | 8130pF @ 20V | 5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,596
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 47A SO8FL | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 3.2W (Ta), 167W (Tc) | N-Channel | 40V | 47A (Ta), 339A (Tc) | 0.75 mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 250µA | 181nC @ 10V | 12168pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,463
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 49A SO8FL | - | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 3.9W (Ta), 200W (Tc) | N-Channel | 40V | 49A (Ta), 352A (Tc) | 0.75 mOhm @ 50A, 10V | 2V @ 250µA | 181nC @ 10V | 12168pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1