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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7478QTRPBF
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RFQ
2,764
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 60V 7A (Ta) 26 mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31nC @ 4.5V 1740pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
PMN27UP,115
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RFQ
1,590
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Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount SC-74, SOT-457 6-TSOP 540mW (Ta), 6.25W (Tc) P-Channel - 20V 5.7A (Ta) 32 mOhm @ 2.4A, 4.5V 950mV @ 250µA 31nC @ 4.5V 2340pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
RZQ045P01TR
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RFQ
3,714
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Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6 - Not For New Designs Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 TSMT6 (SC-95) 1.25W (Ta) P-Channel - 12V 4.5A (Ta) 35 mOhm @ 4.5A, 4.5V 1V @ 1mA 31nC @ 4.5V 2450pF @ 6V 1.5V, 4.5V ±10V
IRF7478TRPBF
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RFQ
3,812
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 2.5W (Ta) N-Channel - 60V 7A (Ta) 26 mOhm @ 4.2A, 10V 3V @ 250µA 31nC @ 4.5V 1740pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
CSD17311Q5
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RFQ
1,546
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Texas Instruments MOSFET N-CH 30V 100A 8SON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSON-CLIP (5x6) 3.2W (Ta) N-Channel - 30V 32A (Ta), 100A (Tc) 2 mOhm @ 30A, 8V 1.6V @ 250µA 31nC @ 4.5V 4280pF @ 15V 3V, 8V +10V, -8V
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