- 系列 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,915
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A HSMT8 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-HSMT (3.2x3) | 2W (Ta) | N-Channel | 30V | 7A (Ta) | 27 mOhm @ 7A, 10V | 2.5V @ 1mA | 8.9nC @ 10V | 410pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
1,917
有现货
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7A 8-HUML | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerUDFN | HUML2020L8 | 2W (Ta) | N-Channel | 30V | 7A (Ta) | 28.6 mOhm @ 7A, 10V | 2V @ 250µA | 8.9nC @ 10V | 410pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
3,882
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30V SOT23 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23-3 (TO-236) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) | N-Channel | 30V | 4A (Ta), 5.3A (Tc) | 33 mOhm @ 3A, 10V | 2.5V @ 250µA | 8.9nC @ 10V | 288pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | |||
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获得报价 |
2,270
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | D-Pak | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | P-Channel | 200V | 1.9A (Tc) | 3 Ohm @ 1.1A, 10V | 4V @ 250µA | 8.9nC @ 10V | 170pF @ 25V | 10V | ±20V |