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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
NTHS4501NT1G
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RFQ
3,905
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead ChipFET™ 1.3W (Ta) N-Channel - 30V 4.9A (Ta) 38 mOhm @ 4.9A, 10V 2V @ 250µA 9.1nC @ 10V 462pF @ 24V 4.5V, 10V ±20V
IRFR9010TRPBF
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RFQ
760
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-Pak 25W (Tc) P-Channel - 50V 5.3A (Tc) 500 mOhm @ 2.8A, 10V 4V @ 250µA 9.1nC @ 10V 240pF @ 25V 10V ±20V
BSZ340N08NS3GATMA1
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RFQ
2,250
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 2.1W (Ta), 32W (Tc) N-Channel - 80V 6A (Ta), 23A (Tc) 34 mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 12µA 9.1nC @ 10V 630pF @ 40V 6V, 10V ±20V
BSZ440N10NS3GATMA1
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RFQ
1,591
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8 29W (Tc) N-Channel - 100V 5.3A (Ta), 18A (Tc) 44 mOhm @ 12A, 10V 2.7V @ 12µA 9.1nC @ 10V 640pF @ 50V 6V, 10V ±20V
BSZ060NE2LSATMA1
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RFQ
1,272
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TSDSON-8-FL 2.1W (Ta), 26W (Tc) N-Channel - 25V 12A (Ta), 40A (Tc) 6 mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 9.1nC @ 10V 670pF @ 12V 4.5V, 10V ±20V
BSC340N08NS3GATMA1
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RFQ
2,979
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 2.5W (Ta), 32W (Tc) N-Channel - 80V 7A (Ta), 23A (Tc) 34 mOhm @ 12A, 10V 3.5V @ 12µA 9.1nC @ 10V 756pF @ 40V 6V, 10V ±20V
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