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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRF7707TRPBF
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RFQ
3,088
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP 1.5W (Ta) P-Channel - 20V 7A (Ta) 22 mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 47nC @ 4.5V 2361pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
IRL7833STRLPBF
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RFQ
2,715
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 140W (Tc) N-Channel - 30V 150A (Tc) 3.8 mOhm @ 38A, 10V 2.3V @ 250µA 47nC @ 4.5V 4170pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF7707GTRPBF
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2,355
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 8-TSSOP 1.5W (Ta) P-Channel - 20V 7A (Ta) 22 mOhm @ 7A, 4.5V 1.2V @ 250µA 47nC @ 4.5V 2361pF @ 15V 2.5V, 4.5V ±12V
IRF6628TRPBF
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966
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.8W (Ta), 96W (Tc) N-Channel - 25V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.5 mOhm @ 27A, 10V 2.35V @ 100µA 47nC @ 4.5V 3770pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF6628TR1PBF
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RFQ
1,355
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.8W (Ta), 96W (Tc) N-Channel - 25V 27A (Ta), 160A (Tc) 2.5 mOhm @ 27A, 10V 2.35V @ 100µA 47nC @ 4.5V 3770pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IRF6794MTR1PBF
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RFQ
1,779
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -40°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount DirectFET™ Isometric MX DIRECTFET™ MX 2.8W (Ta), 100W (Tc) N-Channel Schottky Diode (Body) 25V 32A (Ta), 200A (Tc) 1.7 mOhm @ 32A, 10V 2.35V @ 100µA 47nC @ 4.5V 4420pF @ 13V 4.5V, 10V ±20V
SI8481DB-T1-E1
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3,242
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT TrenchFET® Gen III Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) 2.8W (Tc) P-Channel - 20V 9.7A (Tc) 21 mOhm @ 3A, 4.5V 900mV @ 250µA 47nC @ 4.5V 2500pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±8V
CSD16556Q5B
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RFQ
3,926
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Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 8-VSONP (5x6) 3.2W (Ta), 191W (Tc) N-Channel - 25V 100A (Tc) 1.07 mOhm @ 30A, 10V 1.7V @ 250µA 47nC @ 4.5V 6180pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
SSM6J511NU,LF
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2,855
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Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B U-MOSVII Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 6-UDFNB (2x2) 1.25W (Ta) P-Channel - 12V 14A (Ta) 9.1 mOhm @ 4A, 8V 1V @ 1mA 47nC @ 4.5V 3350pF @ 6V 1.8V, 8V ±10V
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