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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
9 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
RCJ700N20TL
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2,719
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 200V 70A LPTS - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB LPTS 1.56W (Ta), 40W (Tc) N-Channel - 200V 70A (Tc) 42.7 mOhm @ 35A, 10V 5V @ 1mA 125nC @ 10V 6900pF @ 25V 10V ±30V
NVB5404NT4G
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753
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 5.4W (Ta), 254W (Tc) N-Channel - 40V 24A (Ta) 4.5 mOhm @ 40A, 10V 3.5V @ 250µA 125nC @ 10V 7000pF @ 32V - -
SI7788DP-T1-GE3
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842
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 TrenchFET® Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.2W (Ta), 69W (Tc) N-Channel - 30V 50A (Tc) 3.1 mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 250µA 125nC @ 10V 5370pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
BUK663R2-40C,118
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 204W (Tc) N-Channel - 40V 100A (Tc) 3.2 mOhm @ 25A, 10V 2.8V @ 1mA 125nC @ 10V 8020pF @ 25V 10V ±16V
SI7866ADP-T1-E3
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RFQ
2,839
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 20V 40A (Tc) 2.4 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 250µA 125nC @ 10V 5415pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
FDD9407L-F085
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RFQ
3,559
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 100A Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 D-PAK (TO-252) 227W (Tj) N-Channel - 40V 100A (Tc) 2.4 mOhm @ 80A, 4.5V 3V @ 250µA 125nC @ 10V 6700pF @ 25V 10V ±20V
PSMN4R4-80BS,118
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1,262
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 306W (Tc) N-Channel - 80V 100A (Tc) 4.5 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 1mA 125nC @ 10V 8400pF @ 40V 10V ±20V
PSMN7R0-100BS,118
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RFQ
1,629
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Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 269W (Tc) N-Channel - 100V 100A (Tc) 6.8 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 1mA 125nC @ 10V 6686pF @ 50V 10V ±20V
SI7880ADP-T1-E3
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RFQ
1,980
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 5.4W (Ta), 83W (Tc) N-Channel - 30V 40A (Tc) 3 mOhm @ 20A, 10V 3V @ 250µA 125nC @ 10V 5600pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
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