- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
- Vgs(最大值) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,905
有现货
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NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 5.5A (Tc) | 137 mOhm @ 5A, 10V | 2V @ 1mA | 5.3nC @ 5V | 320pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±15V | |||
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获得报价 |
3,556
有现货
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Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 | TrenchMOS™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-261-4, TO-261AA | SOT-223 | 8W (Tc) | N-Channel | - | 55V | 5.5A (Tc) | 137 mOhm @ 5A, 10V | 2V @ 1mA | 5.3nC @ 5V | 320pF @ 25V | 4.5V, 10V | ±15V | |||
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获得报价 |
3,989
有现货
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EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | eGaN® | Active | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die Outline (7-Solder Bar) | - | N-Channel | - | 200V | 22A (Ta) | 25 mOhm @ 12A, 5V | 2.5V @ 3mA | 5.3nC @ 5V | 540pF @ 100V | 5V | +6V, -4V |