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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
8 产品
图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
DMN2300UFD-7
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RFQ
3,965
有现货
Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-UDFN X1-DFN1212-3 470mW (Ta) N-Channel - 20V 1.21A (Ta) 200 mOhm @ 900mA, 4.5V 950mV @ 250µA 2nC @ 4.5V 67.62pF @ 25V 1.5V, 4.5V ±8V
TN0200K-T1-E3
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RFQ
690
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V SOT23-3 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) 350mW (Ta) N-Channel - 20V - 400 mOhm @ 600mA, 4.5V 1V @ 50µA 2nC @ 4.5V - 2.5V, 4.5V ±8V
SSM3K62TU,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH U-MOSVII-H Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C Surface Mount 3-SMD, Flat Leads UFM 1W (Ta) N-Channel - 20V 800mA (Ta) 57 mOhm @ 800mA, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 177pF @ 10V 1.2V, 4.5V ±8V
SI2333-TP
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676
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Micro Commercial Co P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 350mW (Tc) P-Channel - 12V 6A (Tc) 150 mOhm @ 500mA, 1.5V 1V @ 250µA 2nC @ 4.5V 1275pF @ 6V 4.5V ±8V
DMN2300UFD-7
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3,258
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 1.73A 3UDFN - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 3-UDFN X1-DFN1212-3 470mW (Ta) N-Channel - 20V 1.21A (Ta) 200 mOhm @ 900mA, 4.5V 950mV @ 250µA 2nC @ 4.5V 67.62pF @ 25V 1.5V, 4.5V ±8V
RUF020N02TL
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RFQ
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads TUMT3 320mW (Ta) N-Channel - 20V 2A (Ta) 105 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 180pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±10V
RUR020N02TL
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RFQ
3,308
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount SC-96 TSMT3 540mW (Ta) N-Channel - 20V 2A (Ta) 105 mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 2nC @ 4.5V 180pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±10V
IRLML9303TRPBF
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3,423
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Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Micro3™/SOT-23 1.25W (Ta) P-Channel - 30V 2.3A (Ta) 165 mOhm @ 2.3A, 10V 2.4V @ 10µA 2nC @ 4.5V 160pF @ 25V 4.5V, 10V ±20V
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