- 系列 :
- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,870
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | PQFN (5x6) | 3.1W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 24A (Ta), 76A (Tc) | 3.5 mOhm @ 24A, 10V | 2.35V @ 50µA | 30nC @ 4.5V | 3100pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,402
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 2.5W (Ta) | N-Channel | - | 30V | 21A (Ta) | 3.5 mOhm @ 21A, 10V | 2.35V @ 50µA | 30nC @ 4.5V | 3175pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,590
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 2.8W (Ta), 108W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 60A (Ta) | 2.3 mOhm @ 25A, 10V | 1.8V @ 250µA | 30nC @ 4.5V | 4420pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,600
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerTDFN | 8-VSONP (5x6) | 2.8W (Ta), 108W (Tc) | N-Channel | - | 30V | 60A (Ta) | 2.3 mOhm @ 25A, 10V | 1.8V @ 250µA | 30nC @ 4.5V | 4420pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V |