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漏极-源极电压(Vdss) :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
AOB20C60PL
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738
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET NCH 600V 20A TO263 - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 463W (Tc) N-Channel - 600V 20A (Tc) 260 mOhm @ 10A, 10V 5V @ 250µA 80nC @ 10V 3607pF @ 100V 10V ±30V
NTD5805NT4G
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V 51A DPAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 DPAK 47W (Tc) N-Channel - 40V 51A (Tc) 9.5 mOhm @ 15A, 10V 3.5V @ 250µA 80nC @ 10V 1725pF @ 25V 5V, 10V ±20V
MTB30P06VT4G
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 60V 30A D2PAK - Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 3W (Ta), 125W (Tc) P-Channel - 60V 30A (Tc) 80 mOhm @ 15A, 10V 4V @ 250µA 80nC @ 10V 2190pF @ 25V 10V ±15V
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STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK STripFET™ II Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -50°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB D2PAK 150W (Tc) N-Channel - 100V 50A (Tc) 28 mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA 80nC @ 10V 1780pF @ 25V 10V ±20V
IRFH5104TR2PBF
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2,332
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 24A PQFN HEXFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-VQFN Exposed Pad PQFN (5x6) 3.6W (Ta), 114W (Tc) N-Channel - 40V 24A (Ta), 100A (Tc) 3.5 mOhm @ 50A, 10V 4V @ 100µA 80nC @ 10V 3120pF @ 25V 10V ±20V
STB150N3LH6
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STMicroelectronics MOSFET N CH 30V 80A D2PAK DeepGATE™, STripFET™ VI Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263 (D²Pak) 110W (Tc) N-Channel - 30V 80A (Tc) 3 mOhm @ 40A, 10V 2.5V @ 250µA 80nC @ 10V 3800pF @ 25V 5V, 10V ±20V
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