- 系列 :
- 零件状态 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
3,852
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 4.9A TSOT-26 | - | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TSOT-26 | 1.2W (Ta) | P-Channel | 30V | 4.9A (Ta) | 42 mOhm @ 4.9A, 10V | 2.1V @ 250µA | 12.3nC @ 10V | 587pF @ 15V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
685
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 | U-MOSIII-H | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | VS-6 (2.9x2.8) | 700mW (Ta) | P-Channel | 30V | 5A (Ta) | 59 mOhm @ 2.5A, 10V | 1.2V @ 200µA | 12.3nC @ 10V | 490pF @ 10V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,065
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 800mW (Ta) | N-Channel | 60V | 2A (Ta) | 85 mOhm @ 3.2A, 10V | 3V @ 250µA | 12.3nC @ 10V | 606pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
882
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerUFDFN | X1-DFN1616-6 (Type E) | 600mW (Ta) | N-Channel | 60V | 3A (Ta) | 85 mOhm @ 1.5A, 10V | 3V @ 250µA | 12.3nC @ 10V | 606pF @ 20V | 4V, 10V | ±20V |