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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
IRLML2060TRPBF
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RFQ
3,468
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Micro3™/SOT-23 1.25W (Ta) N-Channel - 60V 1.2A (Ta) 480 mOhm @ 1.2A, 10V 2.5V @ 25µA 0.67nC @ 4.5V 64pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
SQ3469EV-T1_GE3
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RFQ
3,374
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Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-TSOP 5W (Tc) P-Channel - 20V 8A (Tc) 36 mOhm @ 6.7A, 10V 2.5V @ 25µA 27nC @ 10V 1020pF @ 10V 4.5V, 10V ±20V
RQ3L050GNTB
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RFQ
2,578
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Rohm Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 8-HSMT (3.2x3) 14.8W (Tc) N-Channel - 60V 12A (Tc) 61 mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 25µA 2.8nC @ 4.5V 300pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
IRLML0100TRPBF
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RFQ
2,054
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Micro3™/SOT-23 1.3W (Ta) N-Channel - 100V 1.6A (Ta) 220 mOhm @ 1.6A, 10V 2.5V @ 25µA 2.5nC @ 4.5V 290pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLML0060TRPBF
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RFQ
3,814
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Micro3™/SOT-23 1.25W (Ta) N-Channel - 60V 2.7A (Ta) 92 mOhm @ 2.7A, 10V 2.5V @ 25µA 2.5nC @ 4.5V 290pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
IRLML0040TRPBF
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RFQ
2,310
有现货
Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT-23-3 HEXFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Micro3™/SOT-23 1.3W (Ta) N-Channel - 40V 3.6A (Ta) 56 mOhm @ 3.6A, 10V 2.5V @ 25µA 3.9nC @ 4.5V 266pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
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