- 供应商设备包 :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,482
有现货
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Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.5W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 3.9A (Tc) | 65 mOhm @ 3.2A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 7.8nC @ 4.5V | 587pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,456
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SOT-23 | 1.5W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 3A (Ta) | 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.5nC @ 4.5V | 476pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,679
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, DSBGA | 6-DSBGA | 1.65W (Ta) | N-Channel | - | 12V | 31A (Ta) | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 4.7nC @ 4.5V | 715pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
,%20SC-63.JPG)
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获得报价 |
3,516
有现货
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK | PowerTrench® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252 | 3.3W (Ta), 33W (Tc) | N-Channel | - | 20V | 21A (Ta) | 32 mOhm @ 8A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 9nC @ 4.5V | 710pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1