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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI1406DH-T1-E3
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RFQ
2,653
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1W (Ta) N-Channel - 20V 3.1A (Ta) 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7.5nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
SI1406DH-T1-GE3
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RFQ
2,374
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 SC-70-6 (SOT-363) 1W (Ta) N-Channel - 20V 3.1A (Ta) 65 mOhm @ 3.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7.5nC @ 4.5V - 1.8V, 4.5V ±8V
TSM2302CX RFG
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RFQ
3,482
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Taiwan Semiconductor Corporation MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23 1.5W (Tc) N-Channel - 20V 3.9A (Tc) 65 mOhm @ 3.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 7.8nC @ 4.5V 587pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±8V
DMN1032UCB4-7
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RFQ
1,410
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA, WLBGA U-WLB1010-4 900mW (Ta) N-Channel - 12V 4.8A (Ta) 26 mOhm @ 1A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 450pF @ 6V 1.8V, 4.5V ±8V
CSD13303W1015
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RFQ
2,679
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Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA NexFET™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UFBGA, DSBGA 6-DSBGA 1.65W (Ta) N-Channel - 12V 31A (Ta) 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 4.7nC @ 4.5V 715pF @ 6V 2.5V, 4.5V ±8V
FDD6530A
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RFQ
3,516
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK PowerTrench® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252 3.3W (Ta), 33W (Tc) N-Channel - 20V 21A (Ta) 32 mOhm @ 8A, 4.5V 1.2V @ 250µA 9nC @ 4.5V 710pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±8V
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