- 系列 :
- 供应商设备包 :
- 功耗(最大) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
1,980
有现货
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Texas Instruments | 12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE | FemtoFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 3-XFDFN | 3-PICOSTAR | 500mW (Ta) | N-Channel | - | 12V | 4.3A (Ta) | 19 mOhm @ 900mA, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | 674pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | 8V | ||
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获得报价 |
1,410
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 4-UFBGA, WLBGA | U-WLB1010-4 | 900mW (Ta) | N-Channel | - | 12V | 4.8A (Ta) | 26 mOhm @ 1A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 4.5nC @ 4.5V | 450pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
2,679
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA | NexFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-UFBGA, DSBGA | 6-DSBGA | 1.65W (Ta) | N-Channel | - | 12V | 31A (Ta) | 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 4.7nC @ 4.5V | 715pF @ 6V | 2.5V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
3,113
有现货
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Texas Instruments | MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR | FemtoFET™ | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | 3-XFDFN | 3-PICOSTAR | 500mW (Ta) | N-Channel | - | 12V | 7.1A (Ta) | 19 mOhm @ 900mA, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 5nC @ 4.5V | 674pF @ 6V | 1.8V, 4.5V | 8V |