- 系列 :
- 功耗(最大) :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
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获得报价 |
2,469
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.8W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 8.2A (Ta) | 20 mOhm @ 7A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 45nC @ 5V | 2520pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
1,201
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 8.2A MICRO8 | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.8W (Ta) | P-Channel | - | 20V | 8.2A (Ta) | 20 mOhm @ 7A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 45nC @ 5V | 2520pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | |||
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获得报价 |
964
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8 | FETKY™ | Obsolete | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) | Micro8™ | 1.25W (Ta) | P-Channel | Schottky Diode (Isolated) | 20V | 4.3A (Ta) | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V | 1.2V @ 250µA | 15nC @ 5V | 1066pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V |