- 供应商设备包 :
- 功耗（最大） :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,373
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.56W (Ta) | N-Channel | 200V | 2.85A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 42nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,841
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | N-Channel | 200V | 3.2A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 42nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,329
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 1.9W (Ta) | N-Channel | 200V | 3.2A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 4.5V @ 250µA | 42nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,565
有现货
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Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26 | - | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-23-6 | SOT-26 | 1.1W (Ta) | P-Channel | 40V | 2.9A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 3V @ 250µA | 15.8nC @ 10V | 833pF @ 20V | 4.5V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,085
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC | TrenchFET® | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SO | 1.56W (Ta) | N-Channel | 200V | 2.85A (Ta) | 80 mOhm @ 4A, 10V | 2V @ 250µA (Min) | 42nC @ 10V | - | 6V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1