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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI4848DY-T1-GE3
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RFQ
1,040
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.5W (Ta) N-Channel 150V 2.7A (Ta) 85 mOhm @ 3.5A, 10V 2V @ 250µA (Min) 21nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI4848DY-T1-E3
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RFQ
749
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 2.7A 8-SOIC TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SO 1.5W (Ta) N-Channel 150V 2.7A (Ta) 85 mOhm @ 3.5A, 10V 2V @ 250µA (Min) 21nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI7898DP-T1-GE3
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RFQ
1,510
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.9W (Ta) N-Channel 150V 3A (Ta) 85 mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 21nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
SI7898DP-T1-E3
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RFQ
3,761
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8 1.9W (Ta) N-Channel 150V 3A (Ta) 85 mOhm @ 3.5A, 10V 4V @ 250µA 21nC @ 10V - 6V, 10V ±20V
AO3419
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RFQ
1,194
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-23-3L 1.4W (Ta) P-Channel 20V 3.5A (Ta) 85 mOhm @ 3.5A, 10V 1.4V @ 250µA 4.4nC @ 4.5V 400pF @ 10V 1.8V, 10V ±12V
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