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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
BSC059N03S G
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RFQ
1,351
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8 OptiMOS™ Obsolete Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PG-TDSON-8 17.5W (Ta), 48W (Tc) N-Channel 30V 17.5A (Ta), 73A (Tc) 5.5 mOhm @ 50A, 10V 2V @ 35µA 21nC @ 5V 2670pF @ 15V 4.5V, 10V ±20V
IPD50N03S4L06ATMA1
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RFQ
2,268
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Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PG-TO252-3-11 56W (Tc) N-Channel 30V 50A (Tc) 5.5 mOhm @ 50A, 10V 2.2V @ 20µA 31nC @ 10V 2330pF @ 25V 4.5V, 10V ±16V
DMTH6005LPS-13
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RFQ
986
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Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 3.2W (Ta), 150W (Tc) N-Channel 60V 20.6A (Ta), 100A (Tc) 5.5 mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 47.1nC @ 10V 2962pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
DMTH6005LPSQ-13
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RFQ
752
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Diodes Incorporated MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506 - Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN PowerDI5060-8 3.2W (Ta), 150W (Tc) N-Channel 60V 20.6A (Ta), 100A (Tc) 5.5 mOhm @ 50A, 10V 3V @ 250µA 47.1nC @ 10V 2962pF @ 30V 4.5V, 10V ±20V
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