- 功耗(最大) :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
- Vgs(最大值) :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗(最大) | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) | Vgs(最大值) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
获得报价 |
966
有现货
|
EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | eGaN® | Discontinued at Digi-Key | Digi-Reel® | GaNFET (Gallium Nitride) | -40°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | Die | Die Outline (11-Solder Bar) | - | N-Channel | - | 40V | 33A (Ta) | 4 mOhm @ 33A, 5V | 2.5V @ 9mA | 11.6nC @ 5V | 1200pF @ 20V | 5V | +6V, -5V | ||
|
|
获得报价 |
3,764
有现货
|
Rohm Semiconductor | NCH 250V/33A POWER MOSFET | Automotive, AEC-Q101 | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SC-83 | LPTS | 211W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 33A (Ta) | 105 mOhm @ 16.5A, 10V | 5V @ 1mA | 80nC @ 10V | 4500pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
|
|
获得报价 |
1,235
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 33A SOP8 | U-MOSVIII-H | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-PowerVDFN | 8-SOP Advance (5x5) | 78W (Tc) | N-Channel | - | 200V | 33A (Ta) | 29 mOhm @ 16.5A, 10V | 4V @ 1mA | 22nC @ 10V | 2200pF @ 100V | 10V | ±20V | ||
|
|
获得报价 |
2,404
有现货
|
Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | U-MOSVIII-H | Active | Digi-Reel® | MOSFET (Metal Oxide) | 175°C (TJ) | Surface Mount | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DPAK+ | 125W (Tc) | N-Channel | - | 100V | 33A (Ta) | 9.7 mOhm @ 16.5A, 10V | 4V @ 500µA | 28nC @ 10V | 2050pF @ 10V | 10V | ±20V |